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CGHV14800F

Name: MACOM CGHV14800F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV14800F
Price: 1345.19 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

941-CGHV14800F

N° de fab. :

CGHV14800F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Fiche technique:

CGHV14800F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440117
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	150 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	- 3.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 100 C
Marque:	MACOM
Kit de développement:	CGHV14800F-TB
Gain:	14 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	1.4 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	1.2 GHz
Alimentation en sortie:	800 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V to 2 V
Poids de l''unité:	71 g

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Fiche technique

CGHV14800F Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV14800 GaN HEMT

MACOM CGHV14800F 800W Gallium-Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed specifically for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The module is ideal for 1.2GHz to 1.4GHz L-band radar amplifier applications, such as air traffic control (ATC), weather, penetration, and military. MACOM CGHV14800F GaN HEMT operates at 50V, typically delivering more than 65% drain efficiency. This device is supplied in a ceramic/metal flange type 440117 package.