MOSFET et diodes au carbure de silicium 1 200 V

Les MOSFET et diodes 1 200 V au carbure de silicium (SiC) de Wolfspeed créent une combinaison puissante à plus haut rendement dans les applications exigeantes. Ces MOSFET et diodes Schottky sont conçus pour être utilisés dans les applications à haute puissance. Les MOSFET au SiC de 1 200 V présentent une Rds(on) stable en cas de surchauffe et une certaine robustesse face aux d'avalanches. Ces MOSFET sont des diodes de corps robustes qui ne nécessitent pas de diodes externes et sont plus faciles à piloter car elles offrent un pilote de grille de 15 V. Les MOSFET au SiC de 1 200 V ont un rendement amélioré au niveau du système avec de moindres pertes de commutation et de conduction et une densité améliorée de puissance au niveau du système.

Types de Semiconducteurs discrets

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Wolfspeed Diodes Schottky SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A 1 490En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Wolfspeed Diodes Schottky SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A 1 910En stock
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Wolfspeed Diodes Schottky SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x10A 397En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed Diodes Schottky SiC SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x15A 489En stock
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial 155En stock
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
880Sur commande
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
894Sur commande
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen3 Non stocké
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SiC MOSFETS SiC
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4, Automotive Non stocké
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SiC MOSFETS SiC TO-247-4