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SIC10A065T-AU_T0_000A1

Name: Panjit SIC10A065T-AU_T0_000A1
Brand: Panjit
SKU: 241-SIC10A065TAUT000
Price: 4.21 EUR
Availability: Discontinued

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N° Mouser :

241-SIC10A065TAUT000

N° de fab. :

SIC10A065T-AU_T0_000A1

Fab. :

Panjit

Description :

Diodes Schottky SiC PJ/10A065T/TP//HF/0.05K/TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH/SIC100W-QI01/PJ//TO220AC-AS06/TO220AC-AS01

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

SIC10A065T-AU_T0_000A1 Fiche technique

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Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220AC-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	10 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.5 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	400 A
Ir - Courant inverse:	20 uA
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Tube
Marque:	Panjit
Pd - Dissipation d’énergie :	115 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	650 V
Poids de l''unité:	1,890 g

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Fiche technique

SIC10A065T-AU_T0_000A1 Fiche technique

PCN

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT Silicon-Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes with low forward-voltage and zero reverse recovery current ensure cooler system temperature under harsh operating conditions of power conversion systems. These SiC diodes feature low conduction and switching loss, high surge current capability, temperature-independent switching behavior, and positive temperature co-efficient on V_F. The SiC diodes are available at a range of 2A to 20A forward current (I_F) and 650V to 1200V Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) ratings. These hard switching and highly reliable diodes operate at high-frequency and offer high system efficiency. The SiC Schottky diodes are ideal for high-temperature applications.