QPA3069 100W GaN Power Amplifier

Qorvo QPA3069 100W GaN Power Amplifier is a packaged, high-power S-band amplifier ideal for military radar systems. The amplifier covers a 2.7GHz to 3.5GHz frequency range and is fabricated on Qorvo’s production 0.25μm gallium nitride (GaN) with silicon carbide (SiC) processing (QGaN25). QPA3069 provides 50dBm saturated output power and 25dB large-signal gain while achieving 53% power-added efficiency. QPA3069 is packaged in a 7mm x 7mm 48-pin plastic overmolded package. QPA3069 MMIC has DC-blocking capacitors on both RF ports, which are matched to 50Ω.

Résultats: 2
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Fréquence de fonctionnement
Tension d'alimentation de fonctionnement
Courant d'alimentation de fonctionnement
Gain
Type
Style de montage
Technologie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Qorvo Amplificateur RF 90W S-band PA
Fiche technique
7En stock
Min. : 1
Mult. : 1

2.7 GHz to 3.5 GHz 30 V 300 mA 29.3 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA3069 Bag
Qorvo Amplificateur RF 2.7-3.5 GHz, 100W GaN PA
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 20 Semaines
Min. : 250
Mult. : 250
Bobine: 250

2.7 GHz to 3.5 GHz 30 V 300 mA 31.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN SiC - 40 C + 85 C QPA3069 Reel