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QPA2211D

Name: Qorvo QPA2211D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPA2211D
Price: 562.25 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

772-QPA2211D

N° de fab. :

QPA2211D

Fab. :

Qorvo

Description :

Amplificateur RF GaN Amplifier

Fiche technique:

QPA2211D Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	Amplificateur RF
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Fréquence de fonctionnement:	27.5 GHz to 31 GHz
Tension d'alimentation de fonctionnement:	22 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	280 mA
Gain:	26 dB
Type:	Power Amplifiers
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Die
Technologie:	GaN SiC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	QPA2211D
Conditionnement:	Gel Pack
Marque:	Qorvo
Kit de développement:	QPA2211DEVB03
Affaiblissement d'équilibrage d'entrée:	12 dB
Nombre de canaux:	1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Type de produit:	RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Fréquence de test:	31 GHz
Poids de l''unité:	2,140 g

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TARIC:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
ECCN:: 3A001.b.2.c

QPA2210D & QPA2211D 27-31GHz GaN Power Amplifiers

Qorvo QPA2210D and QPA2211D GaN Ka-Band Power Amplifiers operate between a 27GHz and 31GHz frequency range to support satellite communications and 5G infrastructure. The amplifiers are fabricated on Qorvo's 0.15µm gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) process. The amplifiers are also fully matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports. The amplifiers are 100% DC and RF tested on-wafer to ensure compliance with electrical specifications.