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BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 527.34 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-BST400D12P4A101

N° de fab. :

BST400D12P4A101

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Modules MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

BST400D12P4A101 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
Technologie:	SiC
Style de montage:	Press Fit
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	394 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.8 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.667 kW
Conditionnement:	Bulk
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	42 ns
Produit:	Power Module
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	102 ns
Nombre de pièces de l'usine:	80
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EcoSiC
Délai de désactivation type:	198 ns
Délai d'activation standard:	119 ns

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Fiche technique

BST400D12P4A101 Fiche technique

Specification Sheets

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Codes de conformité

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Modules de puissance de haute densité au SiC

Les Modules de puissance de Haute densité au carbure de silicium (SiC) de ROHM Semiconductor sont conçus pour prendre en charge une conversion de puissance à haut rendement dans l'automobile et dans d'autres applications industrielles. La gamme comprend plusieurs plateformes de boîtiers telles que TRCDRIVE pack™, HSDIP20 et DOT-247, chacune étant optimisée pour différentes classes de puissance et pour diverses exigences de systèmes. Ces boîtiers intègrent des MOSFET au SiC en structures de modules compacts, qui permettent une haute densité de puissance et une gestion thermique efficace. Selon le boîtier, des configurations telles que 2 en 1, 4 en 1 et 6 en 1 sont possibles, ce qui offre de la flexibilité pour une large gamme de conversion de puissance et d'applications d'entraînement de moteurs.

Ensemble TRCDRIVE™ BST400D12P4A1x1 à Modules moulés

BST400D12P4A101 et BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ de ROHM Semiconductor à Modules 2 en 1 moulés au SiC présentent une tension nominale de 1 200 V en boîtier compact, avec des dimensions de 41,6 × 52,5 mm. Ces modules intègrent des MOSFET au SiC de 4e génération, pour une conception compacte qui réduit considérablement la taille des convertisseurs de véhicules électriques (xEV). Les modules BST400D12P4A101 et BST400D12P4A111 de ROHM Semiconductor prennent en charge jusqu'à 300 kW et présentent une configuration terminale, conçue pour répondre aux défis critiques des convertisseurs de traction en matière de miniaturisation, de rendement accru et de réduction du nombre d'heures de travail. Ces modules ne nécessitent pas de soudage pour les terminaux de signal, ce qui permet une certaine facilité d'utilisation pour les concepteurs.