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SQS660CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQS660CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS660CENW-T1_GE3
Price: 1.3 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SQS660CENW-T1_GE3

N° de fab. :

SQS660CENW-T1_GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Fiche technique:

SQS660CENW-T1_GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,30 €	1,30 €
	0,809 €	8,09 €
	0,528 €	52,80 €
	0,406 €	203,00 €
	0,393 €	393,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,335 €	1 005,00 €
	0,314 €	1 884,00 €
	0,304 €	2 736,00 €
	0,294 €	7 056,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK-1212-8W
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	17.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	62.5 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	26 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Série:	SQS
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	20 ns
Délai d'activation standard:	12 ns

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Fiche technique

SQS660CENW-T1_GE3 Fiche technique

Models

R-C Thermal Model Parameters

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET 60 V à canal N automobile SQS660CENW

Le MOSFET 60 V automobile à canal N SQS660CENW Vishay/Siliconix est un MOSFET de puissance TrenchFET^® HOMOLOGUÉ AEC-Q101. Le SQS660CENW est spécifié à 18 A I_D et 60 V V V_DS. Le composant à configuration unique est proposé en boîtier PowerPAK^® 1212-8W avec une plage de température de jonction en fonctionnement et de température de stockage de -55°C à +175°C.