Transistors discrets H7 IGBT7 TRENCHSTOP™ 650 V

Les transistors discrets 650 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 d'Infineon Technologies offre une technologie avancée répondant aux besoins des applications énergétiques efficaces. Les transistors 650 V d'Infineon Technologies utilisent une conception tranchée à micro-motifs de pointe pour un contrôle précis et haute performance. La conception se traduit par une réduction significative des pertes, un rendement amélioré et une densité de puissance améliorée dans divers secteurs tels que les onduleurs à chaîne, les systèmes de stockage d’énergie (ESS), la charge des véhicules électriques, les onduleurs industriels et la soudure.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Package/Boîte Style de montage Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Tension de l'émetteur de porte max. Courant collecteur continu de 25 C Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Série Conditionnement
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
24005/11/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 427 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
24029/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
24007/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube