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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
Fiche technique
25En stock
10 000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
Fiche technique
84 000Stock usine disponible
Plus d'infos disponibles
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 40 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 40 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape