Transistors automobiles de moyenne puissance MJD

Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont des transistors bipolaires qualifiés AEC-Q101, compatibles PHPP et fabriqués dans des installations certifiées IATF16949. Chaque composant dispose d'une tension de rupture collecteur-émetteur de 50 V ou 100 V (minimum). Les transistors automobiles de moyenne puissance MJD de Diodes Inc. sont fournis en boîtier TO-252 (DPAK) et sont idéaux pour les applications de commutation de puissance ou d'amplification.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Collecteur - Tension de base VCBO Émetteur - Tension de base VEBO Tension de saturation collecteur-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Qualification Conditionnement
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 5 679En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1 061En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K 1 040En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistors bipolaires - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
2 39529/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape