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RM10N100LDV-T

Name: Rectron RM10N100LDV-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM10N100LDV-T
Price: 1.06 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

583-RM10N100LDV-T

N° de fab. :

RM10N100LDV-T

Fab. :

Rectron

Description :

MOSFET

Fiche technique:

RM10N100LDV-T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Délai usine :: 26

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,06 €	1,06 €
	0,659 €	6,59 €
	0,43 €	43,00 €
	0,33 €	165,00 €
	0,308 €	308,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,26 €	650,00 €
	0,242 €	1 210,00 €
	0,224 €	2 240,00 €
	0,217 €	5 425,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Rectron
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-2
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	130 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	21.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Rectron
Configuration:	Single
Temps de descente:	9.1 ns
Transconductance directe - min.:	3.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

RM10N100LDV-T Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge. The device can be used in various applications.