HEMT au GaN

Les HEMT (transistors à haute mobilité d'électrons) au GaN (nitrure de gallium) Cree offrent une densité de puissance plus élevée et des bandes passantes plus larges en comparaison avec des transistors au silicium ou à l'arséniure de gallium. Le GaN offre des propriétés supérieures à celles du silicium ou de l'arséniure de gallium, incluant une tension de claquage plus élevée, une plus grande vitesse de saturation des électrons ainsi qu'une conductivité thermique plus élevée.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
700En stock
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Fiche technique
21En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Fiche technique
143En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
10En stock
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM FET GaN GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
Fiche technique
93En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
50En stock
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Fiche technique
394En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Fiche technique
1 119En stock
480Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
Fiche technique
3 326En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Fiche technique
388En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
Fiche technique
183En stock
40018/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
Fiche technique
132En stock
10006/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
Fiche technique
375En stock
25009/04/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
Fiche technique
374En stock
25027/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
Fiche technique
10En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
20En stock
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
Fiche technique
5En stock
10003/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
Fiche technique
Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM FET GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 25
Mult. : 25

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM FET GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM FET GaN GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
Min. : 250
Mult. : 250
Bobine: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
40En stock
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM FET GaN GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
Fiche technique
Commentaire Produit
30En stock
Min. : 10
Mult. : 10

SMD/SMT Die N-Channel 50 V