MOSFET de puissance à canal P RQ6

Les MOSFET de puissance à canal P RQ6 de ROHM Semiconductor disposent d'une faible résistance à l'état passant et sont logés dans un petit boîtier moulé à haute puissance (TSMT6). ROHM offre une large plage de tensions allant des produits à signal faible aux produits à haute tension de 800 V. Ils peuvent être utilisés pour diverses applications telles que les alimentations électriques et les circuits d'entraînement moteur.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -5.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Fiche technique
6 004En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SC-95-6 P-Channel 1 Channel 40 V 5 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -3.5A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Fiche technique
321En stock
18 000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SC-95-6 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 78 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel