IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 650 V HB

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série HB 650 V STMicroelectronics sont des IGBT développés à l'aide d'une structure exclusive avancée de grille en tranchée et d'arrêt de champ. Ces dispositifs représentent le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence. Grâce à la technologie de pointe d'arrêt de champ et de grille en tranchée haut débit de ST, ces IGBT ont une terminaison de coupure de courant au collecteur minimale et une faible tension de saturation (Vce(sat)) jusqu'à 1,6 V (standard), ce qui réduit les pertes d'énergie au moment de la mise en marche et de la commutation. De plus, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution très étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr.
En savoir plus

Types de Transistors
Modifier la vue par catégorie
Résultats: 28
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

IGBT Transistors