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SIHP080N60E-GE3

Name: Vishay SIHP080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHP080N60E-GE3
Price: 4.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIHP080N60E-GE3

N° de fab. :

SIHP080N60E-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET TO220 600V 35A N-CH MOSFET

Fiche technique:

SIHP080N60E-GE3 Fiche technique

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	2,20 €	1 100,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	80 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	42 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	227 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	31 ns
Transconductance directe - min.:	4.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	96 ns
Série:	SIHP E
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	31 ns
Poids de l''unité:	2 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance série E SiHP080N60E

Les MOSFET de puissance série E SiHP080N60E Vishay/Siliconix offrent une technologie série E de 4e génération dans un boîtier TO-220AB. Le SiHP080N60E dispose d'un faible facteur de mérite (FOM) R_on x Q_g et d'une faible capacité efficace (C_o(er)). Les MOSFET de puissance série E SiHP080N60E Vishay/Siliconix sont conçus pour les applications de serveurs et de télécommunications, SMPS et PFC.