TGS2355

Qorvo
772-TGS2355
TGS2355

Fab. :

Description :
CI commutateurs RF .5-6GHz SPDT 100 Watt GaN

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.
Plus d'informations
En savoir plus à propos de Qorvo TGS2355

Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 50   Multiples : 50
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
159,58 € 7 979,00 €
100 Devis

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
TGS2355-SM
Conditionnement:
Tray
Disponibilité:
En stock
Prix:
231,83 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Qorvo
Catégorie du produit: CI commutateurs RF
RoHS:  
SPDT
500 MHz
6 GHz
1.3 dB
40 dB
- 55 C
+ 150 C
SMD/SMT
Die
Si
TGS2355
Gel Pack
Marque: Qorvo
Tension de haut contrôle: - 48 V
Nombre d'interrupteurs: Single
Courant d'alimentation de fonctionnement: 1 mA
Pd - Dissipation d’énergie : 36.8 W
Type de produit: RF Switch ICs
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Raccourcis pour l'article N°: 1097157
Poids de l''unité: 1 g
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0 

                        
Qorvo Die products:

Mouser is not authorized to break pack on these products.

Please contact your Mouser Technical Representative for further
information.



5-0810-13

Fiche technique

PCN

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

TGS2355 High Power GaN Switch

Qorvo TGS2355 High Power GaN Switch is a single-pole, double-throw (SPDT) reflective switch fabricated on Qorvo's 00.25µm GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process (QGaN25). Operating from 0.5GHz to 6.0GHz, the TGS2355 provides up to 100W input power handling with <1dB insertion over most of the operating band and greater than 40dB isolation.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

Une erreur inattendue est survenue.


Avez-vous une question ? Veuillez consulter le centre d’assistance.
Pour toute question concernant une commande spécifique, veuillez vous connecter à votre compte.

Si vous rencontrez d’autres problèmes, veuillez nous contacter au 800-346-6873 ou nous envoyer un e-mail à help@mouser.com.