FET GaN LMG341xR150

Le FET GaN LMG341xR150 de Texas Instruments avec pilote et protection intégrés permet aux concepteurs d'atteindre de nouveaux niveaux de densité de puissance et de rendement dans les systèmes électroniques de puissance. Le FET GaN LMG341xR150 dispose d'une capacité d'entrée et de sortie ultra-faible, d'une récupération inverse nulle pour réduire les pertes de commutation jusqu'à 80 % et d'un faible écho au nœud de commutation pour réduire les EMI. Les caractéristiques permettent des topologies denses et efficaces comme le PFC Totem Pole.