Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTMFS0D8N02P1ET1G

Name: onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D8N02P1ET1
Price: 3.54 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTMFS0D8N02P1ET1

N° de fab. :

NTMFS0D8N02P1ET1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET FET 25V 0.8 MOHM SO8FL

Fiche technique:

NTMFS0D8N02P1ET1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTMFS0D8N02P1ET1G

En stock: 689

Stock:: 689 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 30 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,54 €	3,54 €
	2,33 €	23,30 €
	1,64 €	164,00 €
	1,49 €	745,00 €
	1,38 €	1 380,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	1,38 €	2 070,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	365 A
Rds On - Résistance drain-source:	680 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	52 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTMFS0D8N02P1E
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	175 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTMFS0D8N02P1ET1G Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal N NTMFS0D8N02P1E

Le MOSFET NTMFS0D8N02P1E d'Onsemi présente une conception compacte, une excellente performance thermique et une petite empreinte dans un boîtier avancé SO-8FL 5 mm x 6 mm. Ce MOSFET monocanal N offre une faible Q_g/capacité pour minimiser les pertes de pilote et fournir un R_DS(on) ultra-faible pour réduire au minimum les pertes de conduction. Le MOSFET NTMFS0D8N02P1E Onsemi est idéal pour les convertisseurs CC-CC, les commutateurs de charge d'alimentation, le contrôle de moteur, la gestion de batterie, les ordinateurs portables et de bureau, les serveurs, les télécommunications, l'informatique et les dispositifs de communication.