NVMFWS4D0N04XMT1G

onsemi
863-VMFWS4D0N04XMT1G
NVMFWS4D0N04XMT1G

Fab. :

Description :
MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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Prix (EUR)

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0,578 € 57,80 €
0,457 € 228,50 €
0,426 € 426,00 €
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0,377 € 565,50 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.9 mOhms
20 V
3.5 V
12 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 9 ns
Transconductance directe - min.: 32 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 8 ns
Série: NVMFWS4D0N04XM
Nombre de pièces de l'usine: 1500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 10 ns
Délai d'activation standard: 7 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99

MOSFET NVMFWS4D0N04XM

Le MOSFET NVMFWS4D0N04XM d'onsemi offre de faibles RDS(on) et capacité dans un boîtier homologué AEC-Q101. Le MOSFET a une tension drain-source de 40 V, un courant de drain continu de 80 A et une résistance drain-source de 3,9 mΩ à 10 V. Le MOSFET NVMFWS4D0N04XM d'onsemi est disponible dans un boîtier SO-8FL à petite empreinte, 5 mm x 6 mm, et il est idéal pour les applications de commande de moteur, de protection de batterie et de redressement synchrone.