RS1G201ATTB1

ROHM Semiconductor
755-RS1G201ATTB1
RS1G201ATTB1

Fab. :

Description :
MOSFET HSOP8 P-CH 40V 20A

Modèle de ECAO:
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Prix (EUR)

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1,52 € 1,52 €
1,45 € 14,50 €
1,39 € 139,00 €
1,22 € 610,00 €
1,13 € 1 130,00 €
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1,03 € 2 575,00 €

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ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
HSOP-8
P-Channel
1 Channel
40 V
78 A
5.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
130 nC
+ 150 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Single
Temps de descente: 250 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 98 ns
Nombre de pièces de l'usine: 2500
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 P Channel
Délai de désactivation type: 330 ns
Délai d'activation standard: 24 ns
Raccourcis pour l'article N°: RS1G201AT
Poids de l''unité: 771,020 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance RS1G201ATTB1

Le MOSFET de puissance RS1G201ATTB1 de ROHM Semiconductor dispose d'un placage sans plomb, d'une faible résistance à l'état passant et d'un petit boîtier à montage en surface HSOP8. Ce MOSFET fonctionne sur une plage de température de -55 °C à +150 °C, une tension drain-source de -40 V, un courant de drain pulsé de ±80 A et une tension grille-source de ±20 V. Le MOSFET de puissance RS1G201ATTB1 est idéal pour une utilisation dans la commutation de charge.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.