Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTMFS003P03P8ZT1G

Name: onsemi NTMFS003P03P8ZT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-TMFS003P03P8ZT1G
Price: 2.37 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-TMFS003P03P8ZT1G

N° de fab. :

NTMFS003P03P8ZT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PFET SO8FL -30V 3MO

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NTMFS003P03P8ZT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTMFS003P03P8ZT1G

En stock: 2 198

Stock:: 2 198 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,37 €	2,37 €
	1,53 €	15,30 €
	1,06 €	106,00 €
	0,846 €	423,00 €
	0,799 €	799,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,799 €	1 198,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO-8FL
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	234 A
Rds On - Résistance drain-source:	1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	277 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	139 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	380 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	116 ns
Série:	NTMFS003P03P8Z
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	325 ns
Délai d'activation standard:	28 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTMFS003P03P8ZT1G Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

mosfet à canal p NTMFS003P03P8Z

Le MOSFET de canal P NTMFS003P03P8Z d’Onsemi est un MOSFET de -30 V disponible en 5 mm x 6 mm pour une économie d’espace et une excellente conduction thermique. Ce MOSFET de canal P présente une résistance R_DS(on) ultra-faible de 1,8 mΩ pour améliorer l’efficacité du système et un courant de drain de -234 A. Le MOSFET de canal P NTMFS003P03P8Z fonctionne à une plage de température de jonction et de stockage de -55 °C à 150 °C. Ce MOSFET est un dispositif sans Pb, sans halogène/sans BFR et conforme à la directive RoHS. Le NTMFS003P03P8Z MOSFET convient à la charge d’alimentation commutateur à la protection inverse courant à la protection contre les surtensions et à la protection inverse négative tension et gestion de batterie.