MOSFET à tranchée et canal P PXP0

Les MOSFET à tranchée et canal P PXP0 Nexperia sont des transistors à effet de champ (FET) à mode amélioré qui utilisent la technologie MOSFET à tranchée. Le PXP0 à canal P est fourni en boîtier plastique à montage en surface (CMS) MLPAK33 (SOT8002). Les MOSFET sont compatibles au niveau logique et utilisent la technologie MOSFET à tranchée. Les applications standard comprennent le commutateur de charge côté haut, la gestion de batterie, la conversion CC-CC et les circuits de commutation.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Nexperia MOSFET PXP012-30QL/SOT8002/MLPAK33
Fiche technique
6 94719/02/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT SOT8002-1-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15.2 A 12.8 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33
Fiche technique
6 003Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 P-Channel 1 Channel 30 V 12.8 A 22 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 24.6 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel