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RM2312-T

Name: Rectron RM2312-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM2312-T
Price: 0.6 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

583-RM2312-T

N° de fab. :

RM2312-T

Fab. :

Rectron

Description :

MOSFET

Fiche technique:

RM2312-T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Rectron
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT23-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	4.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	33 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	500 mV
Qg - Charge de grille:	10 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Rectron
Configuration:	Single
Temps de descente:	28 ns
Transconductance directe - min.:	10 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	20 ns

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Fiche technique

RM2312-T Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON). The MOSFET features a low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. The device is suitable for use as battery protection or in other switching applications.

PRODUITS PRÉSENTÉS

RECTRON

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge.

RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Uses advanced trench technology to provide excellent R_DS(ON).

RM3134 Dual N-Channel MOSFET

Lead-free product housed in a surface mount package.

RM135N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET

Features Super Trench technology optimized for efficient high-frequency switching performance.

RM150N60HD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features advanced Trench technology and design to provide excellent R_DS(ON) and a low gate charge.

En stock: 2 277

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Prix unitaire:

-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,605 €	0,61 €
	0,413 €	4,13 €
	0,261 €	26,10 €
	0,164 €	82,00 €
	0,146 €	146,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,123 €	369,00 €
	0,107 €	642,00 €
	0,095 €	855,00 €
	0,085 €	2 040,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

RM2312-T

Fab. : Rectron

Description : MOSFET

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Produit et conformité commerciale

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RM2312 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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