MOSFET DMP3014SFDE de 30 V à mode d'amélioration de canal P

Les MOSFET à mode d'amélioration de canal P de Diodes Inc. DMP3014SFDE 30 V présentent une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille tout en maintenant des performances supérieures de commutation. Les dispositifs sont idéaux pour les applications de gestion d’énergie à rendement élevé. Les MOSFET DMP3014SFDE 30 V en mode d’amélioration à canal P de Diodes Inc. sont disponibles dans un boîtier U-DFN2020-6.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
Fiche technique
3 000En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
Fiche technique
24 918En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 10 000

Si SMD/SMT U-DFN2020-6 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel