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STD80N450K6

Name: STMicroelectronics STD80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N450K6
Price: 3.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STD80N450K6

N° de fab. :

STD80N450K6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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Fiche technique:

STD80N450K6 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,59 €	3,59 €
	2,36 €	23,60 €
	1,76 €	176,00 €
	1,57 €	785,00 €
	1,34 €	1 340,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,26 €	3 150,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	17.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	12.7 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	28.8 ns
Délai d'activation standard:	10.6 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

STD80N450K6 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

Les MOSFET de puissance à canal N MDmesh K6 de STMicroelectronics sont protégés par Zener et 100 % testés en avalanche. Ces MOSFET de puissance se caractérisent par une tension de rupture drain-source de 800 V minimum, une tension grille-source de ±30 V et une plage de température de fonctionnement de jonction de -55 °C à 150 °C. Les MOSFET de puissance MDmesh K6 se caractérisent également par une pente de tension de récupération de diode de 5 V/ns crête, une pente de courant de récupération de diode de 100 µA/s crête et une robustesse dv/dt de MOSFET de 120 V/ns. Les applications typiques incluent les ordinateurs portables et tout-en-un (AIO), les convertisseurs Flyback, les adaptateurs pour tablettes et les éclairages LED.

MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6

Le MOSFET de puissance MDmesh K6 800 V 10 A STD80N450K6 de STMicroelectronics est un MOSFET de puissance haute tension à canal N doté d’une protection Zener et testé 100 % en mode avalanche. Ce MOSFET présente également une charge de grille très basse, une tension grille-source de ±30 V, une dissipation totale d’énergie de 83 W, une zone x R_DS(ON) mondial et un facteur de mérite (FOM). Le MOSFET fonctionne dans une plage de température de jonction de -55 °C à 150 °C et est disponible dans un boîtier DPAK (TO-252) de type A2. Les applications typiques comprennent les convertisseurs Flyback, l'éclairage LED et les adaptateurs pour tablettes et notebooks.