Diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium

Les diodes de puissance SCHOTTKY en carbure de silicium (SiC) de Vishay semiconducteurs sont des redresseurs avancés haute performance conçus pour offrir une efficacité, une robustesse et une fiabilité exceptionnelles dans les applications d'électronique de puissance exigeantes. Conçues à partir de la technologie SiC à large bande interdite, ces diodes Vishay offrent une charge de récupération inverse pratiquement nulle, une capacité de commutation extrêmement rapide et une performance qui ne varie pas en fonction de la température., ce qui rend ces dispositifs idéaux pour les systèmes de conversion de puissance haute fréquence de nouvelle génération.

Résultats: 45
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
93006/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
47527/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2473L
Fiche technique
49027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C30CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
46514/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
50014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
79414/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
80014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
75514/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
80014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
97514/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00014/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
50027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
80027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2202L
Fiche technique
1 00027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
50027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SicG4TO-2472L
Fiche technique
50027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodes Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Fiche technique
78027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape