Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

RF4G100BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4G100BGTCR
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-RF4G100BGTCR

N° de fab. :

RF4G100BGTCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET DFN2020 N-CH 40V 10A

Fiche technique:

RF4G100BGTCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR

En stock: 8 342

Stock:: 8 342 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,18 €	1,18 €
	0,743 €	7,43 €
	0,492 €	49,20 €
	0,384 €	192,00 €
	0,349 €	349,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,305 €	915,00 €
	0,283 €	1 698,00 €
	0,278 €	2 502,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	14.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	10.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.5 ns
Transconductance directe - min.:	5.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	8.5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RF4G100BG

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

RF4G100BGTCR Fiche technique

Specification Sheets

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal N RF4G100BG

Le MOSFET de puissance à canal N RF4G100BG de ROHM Semiconductor est un MOSFET 40 V et 10 A disposant d'une faible résistance à l'état passant de 14,2 mΩ, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation. Le RF4G100BG dispose d'un temps de récupération inverse de 27 ns (standard) et d'une charge de récupération inverse de 18 nC (standard). La dissipation d'énergie pour le composant est de 2,0 W et dispose d'une large plage de température de jonction et de stockage de fonctionnement de -55 ℃ à +150 ºC.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.