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FET de puissance GaN 650 V LMG3616

Le FET de puissance GaN 650 V LMG3616 de Texas Instruments offre une résistance de 270 mΩ avec pilote et protection intégrés pour les applications d'alimentation à mode de commutation. Ce FET GaN intègre une conception simplifiée et réduit le nombre de composants en intégrant le FET GaN et le pilote de grille dans un boîtier QFN de 8 mm sur 5,3 mm. Le FET GaN LMG3616 est doté de taux de dérive à l'allumage programmables qui fournissent un contrôle d'EMI et de sonnerie. Le pilote de grille interne du transistor régule la tension de commande pour une résistance à l'état passant FET GaN optimale. Le pilote interne réduit l'inductance totale de la grille et l'inductance de source commune FET GaN pour améliorer les performances de commutation, y compris l'immunité aux transitoires en mode commun (CMTI). Les applications typiques incluent les alimentations de prises murales USB CA/CC, les auxiliaires CA/CC, les téléviseurs, les SMPS pour téléviseurs, les chargeurs muraux mobiles et les prises de courant murales USB.