MOSFET de puissance monocanal N

Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont conçus pour des conceptions compactes et efficaces avec un encombrement réduit. Ces MOSFET de puissance disposent d’une basse RDS(ON), d’une QG et d’une capacité faibles, qui réduisent au minimum les pertes en conduction et du pilote. Ces MOSFET sont disponibles en tensions drain-source de 40, 60 et 80 V et en tension grille-source ±20 V. Les MOSFET de puissance monocanal N onsemi sont sans plomb et conformes à la directive RoHS.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
onsemi MOSFET T6-D3F 40V NFET
Fiche technique
907En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Fiche technique
203En stock
1 50029/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 1 000
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 66 A 4.7 mOhms 20 V 3.5 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
Fiche technique
35En stock
31 500Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 1 500
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Fiche technique
52En stock
1 50001/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 33 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Fiche technique
161En stock
3 00011/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 92 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Fiche technique
109En stock
13 500Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 1 350
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 38.6 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Fiche technique
64En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
Fiche technique
13 60102/10/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 500

Si SMD/SMT DFNW-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T8 80V LL LFPAK
Fiche technique
3 00017/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 80 V 59 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 73 W Enhancement Reel, Cut Tape