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SIR186LDP-T1-RE3

Name: Vishay SIR186LDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR186LDP-T1-RE3
Price: 1.3 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

78-SIR186LDP-T1-RE3

N° de fab. :

SIR186LDP-T1-RE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET PPAKSO8 N-CH 60V 23.8A

Fiche technique:

SIR186LDP-T1-RE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,30 €	1,30 €
	0,82 €	8,20 €
	0,551 €	55,10 €
	0,433 €	216,50 €
	0,395 €	395,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,347 €	1 041,00 €
	0,345 €	2 070,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK SO-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	80.3 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	31.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	57 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Single
Temps de descente:	6 ns
Transconductance directe - min.:	54 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

SIR186LDP-T1-RE3 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET 60 V à canal N (D-S) SiR186LDP

Les MOSFET 60 V à canal N (D-S) SiR186LDP Vishay/Siliconix utilisent la technologie MOSFET^® de puissance TrenchFET Gen IV. Les MOSFET SiR186LDP disposent d'une très faible R_DS Q_g figure de mérite (FOM) et sont réglés pour le FOM R_DS Q_oss le plus faible. Les MOSFET 60 V à canal N (D-S) SiR186LDP Vishay/Siliconix sont idéaux pour le redressement synchrone, le commutateur côté primaire, le convertisseur CC-CC et les applications de commutateur d'entraînement moteur.