MOSFET à canal N OptiMOS™ 3

Les MOSFET à canal N OptiMOS™ 3 Infineon Technologies disposent d'une faible résistance à l'état passant dans un boîtier SuperSO8 sans fil. Les MOSFET OptiMOS 3 permettent d'augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 % dans les applications industrielles, grand public et de télécommunications.Les OptiMOS™ 3 sont disponibles en version de MOSFET à canal N de 40 V, 60 V et 80 V et en boîtiers SuperSO8 et Shrink SuperSO8 (S3O8). Par rapport aux boîtiers TO (Transistor Outline) standard, le SuperSO8 peut augmenter la densité de puissance jusqu'à 50 %.

Résultats: 7
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
1 934En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 120 V 237 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 158 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
10 226En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
16 696En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
5 651En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
2 683En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
4 494En stock
5 00017/09/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
Fiche technique
9 88007/01/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel