Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Types de Semiconducteurs discrets
Modifier la vue par catégorie
Résultats: 314
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Fiche technique
219En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
Fiche technique
255En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
Fiche technique
461En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
Fiche technique
Commentaire Produit
132En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Fiche technique
127En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Fiche technique
60019/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Fiche technique
Commentaire Produit
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFET N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
Fiche technique
Délai de livraison 26 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison 26 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
Fiche technique
Délai de livraison 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
Fiche technique
Délai de livraison 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Fiche technique
Délai de livraison 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3