Modules IGBT doubles 1 200 V

Les modules IGBT doubles 1 200 V d'Infineon sont des modules IGBT7 double TRENCHSTOP™1 200 V, 900 A ÉconoDUAL ™ 3 avec diode 7 contrôlée par émetteur, NTC et technologie de contact PressFIT. Les modules IGBT offrent un courant de sortie d’onduleur plus élevé pour la même taille de cadre et évitent la mise en parallèle. Les modules IGBT doubles 1 200 V Infineon assurent un assemblage fiable et facile, avec une interconnexion extrêmement fiable.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Fiche technique
6En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
Fiche technique
17En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 650 V, 450 A dual IGBT module
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT MEDIUM POWER 62MM
Fiche technique
20En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT MEDIUM POWER 62MM
Fiche technique
12En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Fiche technique
19En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Fiche technique
12En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
Fiche technique
18En stock
2006/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Fiche technique
10En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 10
Mult. : 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Tray