Transistors GaN automobiles 650 V - refroidis par le bas

Les transistors GaN automobiles 650 V d'Infineon Technologies - refroidis par le bas - se caractérisent par un courant, une tension de claquage et une fréquence de commutation élevés. Les transistors d'Infineon Technologies innovent avec les boîtiers brevetés Island Technology®et GaNPX ®. L'agencement des cellules Island Technology permet d'obtenir un courant élevé et un rendement élevé. Le boîtier GaNPX assure une faible inductance et une faible résistance thermique dans un petit format. Le GS-065-060-5-B-A est un transistor refroidi par le bas avec une faible résistance thermique jonction-boîtier pour les applications à haute puissance exigeantes. Ces caractéristiques se combinent pour offrir une commutation de puissance à haut rendement.