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NTTFS1D8N02P1E

Name: onsemi NTTFS1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS1D8N02P1E
Price: 2.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NTTFS1D8N02P1E

N° de fab. :

NTTFS1D8N02P1E

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE

Fiche technique:

NTTFS1D8N02P1E Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	1,81 €	18,10 €
	1,26 €	126,00 €
	1,08 €	540,00 €
	1,03 €	1 030,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,01 €	3 030,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PQFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	150 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	17.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	46 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTTFS1D8N02P1E
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	122,136 mg

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Fiche technique

NTTFS1D8N02P1E Fiche technique

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal N NTTFS1D8N02P1E

Le MOSFET de puissance à canal N NTTFS1D8N02P1E d'Onsemi se caractérise par sa compacité et ses excellentes performances thermiques. Ce MOSFET offre une faible résistance drain-source (R_DS(on)) pour réduire au minimum les pertes en conduction ainsi qu'une charge de grille totale (Q_G) et une capacité faibles pour minimiser les pertes de pilote. Le MOSFET NTTFS1D8N02P1E d'Onsemi fournit une tension drain-source de 25 V (V_(BR)DSS) et un courant de drain maximum de 150 A (I_D). Les applications typiques comprennent les convertisseurs CC-CC, les commutateurs de charge électrique, la gestion de batterie pour ordinateur portable, le contrôle de moteur, le redressement secondaire, la gestion de batterie, et le point de charge (POL).