MOSFET à canal N PSMN8R0

Le MOSFET à canal N PSMN8R0 de Nexperia est un MOSFET à canal N et double niveau logique logé dans un boîtier LFPAK56D (dual power-SO8). Le MOSFET utilise la technologie TrenchMOS. Le composant est classé en avalanche répétitive et qualifié jusqu'à 175 °C.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 40V 30A
Fiche technique
3 252En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21.8 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT1205 2NCH 40V 30A
Fiche technique
66En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 9.4 mOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 15.7 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel