IGBT 1 200 V à canal N FGY4LxxT120SWD

Les IGBT 1 200 V à canal N FGY4LxxT120SWD d'onsemi utilisent la nouvelle technologie IGBT à arrêt de champ de 7e génération et la diode Gen7 dans un boîtier TO-247 à 4−fils. Le FGY4LxxT120SWD d'onsemi offre des performances optimales avec de faibles pertes de commutation et de conduction pour des opérations à haut−rendement dans diverses applications telles que les convertisseurs solaires, les ASI et les ESS.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
onsemi IGBTs 1200V 140A FS7 IGBT TP247-4L
Fiche technique
180En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.25 kW - 55 C + 175 C FGY4L140T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 160A FS7 IGBT TP247-4L
Fiche technique
176En stock
24010/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.5 kW - 55 C + 175 C FGY4L160T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 100A FS7 IGBT TP247-4L
Fiche technique
49En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V 20 V 200 A 1.071 kW - 55 C + 175 C FGY4L100T120SWD Tube
onsemi IGBTs 1200V 75A FS7 IGBT TP247-4L
Fiche technique
59En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.37 V 20 V 150 A 652 W - 55 C + 175 C FGY4L75T120SWD Tube