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FFSP0865B

Name: onsemi FFSP0865B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP0865B
Price: 2.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-FFSP0865B

N° de fab. :

FFSP0865B

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC SIC DIODE TO220 650V

Fiche technique:

FFSP0865B Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	8 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	650 V
Vf - Tension directe:	1.39 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	56 A
Ir - Courant inverse:	40 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	FFSP0865B
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	73 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	650 V

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Fiche technique

FFSP0865B Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSP0865B 650V 8A SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP0865B 650V, 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSP0865B SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSP0865B 650V and 8A SiC Schottky Diodes come in a TO-220-2LD package.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

Diodes EliteSiC D2

Les diodes EliteSiC D2 d'onsemi constituent une gamme de diodes à hautes performances conçues pour les applications nécessitant une tension nominale de 650 V. La D2 d'onsemi est disponible en divers boîtiers, notamment DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2 et TO-247-3. Ces diodes affichent une faible charge capacitive (QC) et sont optimisées pour une commutation à haute vitesse avec une tension directe faible. Ces caractéristiques rendent les diodes idéales pour la correction du facteur de puissance (PFC) et les applications de redressement de sortie.