IGBT à tranchée et arrêt de champ 75 A 650 V RGSX5TS65

Les IGBT à tranchée et arrêt de champ 75 A 650 V RGSX5TS65 de ROHM Semiconductor disposent d'une faible tension de saturation collecteur-émetteur. Le RGSX5TS65 dispose d'un temps de tenue aux courts-circuits de 8 μs. Il est qualifié AEC-Q101 et dispose d'un placage de fil sans Pb.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
431En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
438En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
Fiche technique
Commentaire Produit
400En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube