TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

Types de Semiconducteurs discrets
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Fiche technique
615En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Fiche technique
1 425En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Fiche technique
1 290En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Fiche technique
1 795En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Fiche technique
279En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Fiche technique
382En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Fiche technique
720En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Modules IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Fiche technique
9En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Fiche technique
48009/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 30 Semaines
Min. : 240
Mult. : 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 30 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4