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RF4L070BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4L070BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4L070BGTCR
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RF4L070BGTCR

N° de fab. :

RF4L070BGTCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET DFN2020 N-CH 60V 7A

Fiche technique:

RF4L070BGTCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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16/06/2026 attendu

6 000

18/06/2026 attendu
Délai usine :: 16

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,18 €	1,18 €
	0,743 €	7,43 €
	0,492 €	49,20 €
	0,384 €	192,00 €
	0,35 €	350,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,30 €	900,00 €
	0,283 €	1 698,00 €
	0,278 €	2 502,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	7 A
Rds On - Résistance drain-source:	27 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	7.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	4.4 ns
Transconductance directe - min.:	2.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	8.7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RF4L070BG

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Fiche technique

RF4L070BGTCR Fiche technique

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal N RF4L070BG

Le MOSFET de puissance à canal N RF4L070BG de ROHM Semiconductor est un MOSFET de 60,0 V et 7,0 A disposant d'une faible résistance à l'état passant de 27,0 mΩ, ce qui le rend idéal pour les applications de commutation. Le RF4L070BG dispose d'un temps de récupération inverse de 25,0 ns (standard) et d'une charge de récupération inverse de 22,0 nC (standard). La dissipation d'énergie pour le composant est de 2,0 W et dispose d'une large plage de température de jonction et de stockage de fonctionnement de -55 ℃ à +150 ºC.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.