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NVHL027N65S3F

Name: onsemi NVHL027N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL027N65S3F
Price: 17.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVHL027N65S3F

N° de fab. :

NVHL027N65S3F

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG

Fiche technique:

NVHL027N65S3F Fiche technique

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	17,78 €	17,78 €
	11,22 €	112,20 €
	10,56 €	1 056,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	75 A
Rds On - Résistance drain-source:	27.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	227 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	595 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	SuperFET III
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	42 ns
Transconductance directe - min.:	57 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	59 ns
Série:	SuperFET3
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	147 ns
Délai d'activation standard:	46 ns
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

NVHL027N65S3F Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET® III Power MOSFET

onsemi NVHL027N65S3F 650V 75A SUPERFET^® III Power MOSFET is a high-voltage AEC-Q101 qualified Super-Junction (SJ) MOSFET utilizing Charge Balance technology for outstanding low on-resistance and low gate charge performance. Charge Balance technology minimizes conduction loss, providing superior switching performance and enabling the ability to withstand extreme dV/dt rates. The NVHL027N65S3F SUPERFET III MOSFET is ideal for power systems requiring miniaturization and high efficiency. The NVHL027N65S3F also features optimized reverse recovery body diode performance, resulting in fewer required additional components and improved system reliability.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.