Transistors bipolaires à grille isolée modèle BID

Les transistors bipolaires (IGBT) à grille isolée de modèle BID de Bourns combinent la technologie d'une grille MOSFET et d'un transistor bipolaire et sont conçus pour les applications à courant élevé/tension élevée. Les IGBT de modèle BID utilisent une technologie avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée pour fournir un meilleur contrôle des caractéristiques dynamiques, ce qui entraîne une tension de saturation collecteur-émetteur plus faible et moins de pertes de commutation. Les IGBT disposent d’une plage de température de fonctionnement de -55°C à +150°C et sont disponibles en boîtiers TO-252, TO-247 et TO-247N. Ces composants thermiquement efficaces fournissent une résistance thermique plus faible, ce qui en fait des solutions IGBT adaptées aux alimentations électrique à découpage (SMPS), aux sources d'alimentation électriques sans interruption (UPS) et aux applications de correction du facteur de puissance (PFC).

Résultats: 9
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
Fiche technique
24 183En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 10 A 82 W - 55 C + 150 C BID Reel, Cut Tape, MouseReel
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
Fiche technique
6 978En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.7 V - 20 V, 20 V 40 A 192 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
Fiche technique
2 233En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 100 A 416 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
Fiche technique
1 187En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
Fiche technique
5 811En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
Fiche technique
1 850En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.65 V - 20 V, 20 V 60 A 230 W - 55 C + 150 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
Fiche technique
2 830En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V 20 V 80 A 230 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
Fiche technique
2 967En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 80 A 300 W - 40 C + 175 C BID Tube
Bourns IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
Fiche technique
2 783En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.42 V 20 V 150 A 394 W - 40 C + 175 C BID Tube