Transistors DMOS RF STAC

STMicroelectronics offre un large portefeuille de transistors de puissance DMOS RF pour des applications allant de 1 MHz à 250 MHz, telles que les applications de diffusion FM, industrielles, scientifiques et médicales. ST offre un large portefeuille de transistors DMOS RF fonctionnant à partir d'une tension d'alimentation comprise entre 28 et 150 V. Ils offrent une puissance de crête élevée (jusqu'à 1,2 kW) et une excellente robustesse (infinie : 1 VSWR). Le boîtier STAC® à cavité d'air offre un comportement thermique amélioré, de meilleures performances RF et une fiabilité exceptionnelle.
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Polarité du transistor
Technologie
Id - Courant continu de fuite
Vds - Tension de rupture drain-source
Fréquence de fonctionnement
Gain
Alimentation en sortie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Style de montage
Package/Boîte
Conditionnement
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
Fiche technique
90En stock
Min. : 1
Mult. : 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF POWER R.F.
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 28 Semaines
Min. : 80
Mult. : 80

N-Channel Si 20 A 250 V 250 MHz 24.6 dB 580 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC-244B Bulk
STMicroelectronics Transistors MOSFET RF 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
Fiche technique
Non stocké
Min. : 80
Mult. : 80

N-Channel Si 1 mA 200 V 250 MHz 24.6 dB 1 kW - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244F Bulk