MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2 en 30 V

Les MOSFET de puissance StrongIRFET™ 2 en 30 V d'Infineon Technologies sont optimisés pour les fréquences de commutation basses et élevées, permettant une flexibilité de conception. Ces dispositifs offrent une efficacité haute puissance pour une performance globale du système améliorée, tout en présentant une excellente robustesse. Les valeurs nominales de courant accrues permettent d'obtenir une capacité de transport de courant plus élevée, ce qui élimine le besoin de mettre en parallèle plusieurs dispositifs, ce qui se traduit par une réduction des coûts de la nomenclature (BOM) et des économies sur la carte. Les applications comprennent les alimentations électriques (SMPS), les entraînements à moteur, les dispositifs alimentés par batterie, la gestion de batterie, l'alimentations sans interruption (ASI), les véhicules électriques légers, les outils électriques, les outils de jardinage, les adaptateurs et les applications grand public.

Résultats: 8
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Fiche technique
636En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 122 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Fiche technique
624En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 46 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
Fiche technique
399En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 30 V 119 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Fiche technique
3 890En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 137 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 24 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Fiche technique
1 294En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 143 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 33 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Fiche technique
3 736En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 99 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 16 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Fiche technique
3 760En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 73 A 4.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 13 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Fiche technique
2 431En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 30 V 71 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 10 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape