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NXH400N100L4Q2F2SG

Name: onsemi NXH400N100L4Q2F2SG
Brand: onsemi
SKU: 863-H400N100L4Q2F2SG
Price: 162.56 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-H400N100L4Q2F2SG

N° de fab. :

NXH400N100L4Q2F2SG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets ESS 200KW PIM SOLDER PIN

Fiche technique:

NXH400N100L4Q2F2SG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
Produit:	IGBT-Diode Modules
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	Q2PACK
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	NXH400N100L4Q2F2
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Configuration:	Module
Pd - Dissipation d’énergie :	980 W
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre de pièces de l'usine:	12
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules

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Fiche technique

NXH400N100L4Q2F2SG Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Modules IGBT NXH400N100L4Q2F2

Les modules IGBT NXH400N100L4Q2F2 onsemi contiennent un onduleur à trois niveaux à point neutre de type I sous contrainte. Les Modules NXH400N100L4Q2F2 onsemi tirent parti des IGBT et des FDS intégrés à tranchées d'arrêt de champs pour limiter les pertes de conduction et de commutation, ce qui assure un rendement et une fiabilité exceptionnels. Les modules disposent d’une conception d’onduleur à trois niveaux et à point neutre et utilisent une tranchée extrêmement efficace à technologie d’arrêt de champ pour optimiser les performances. Le faible caractère inductif des dispositifs et la faible hauteur de boîtier améliorent encore le rendement et la fiabilité et intègrent une thermistance de surveillance thermique.