MOSFET de puissance RxP120BLFRA

Les MOSFET de puissance RxP120BLFRA de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile homologués AEC-Q101. Les dispositifs délivrent une tension de rupture drain-source de 100 V, une résistance à l'état passant drain-source statique de 62 mΩ et un courant de drain continu de ±12 A. Les MOSFET de puissance RxP120BLFRA de ROHM sont idéaux pour lesapplications automobiles comme le système d'aide à la conduite (ADAS), l'infodivertissement, l'éclairage et la carrosserie.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT N CHAN 100V
Fiche technique
2 100En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 62 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN7 N CHAN 100V
Fiche technique
3 00005/03/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 61 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape