Modules IGBT à 3 niveaux 1 200 V

Les modules IGBT à 3 niveaux 1 200 V d'Infineon Technologies fournissent des performances électriques et une haute fiabilité sans limiter la flexibilité de conception. Les modules IGBT couvrent une plage allant de seulement quelques centaines de watts à plusieurs mégawatts. Les modules IGBT 1 200 V sont conçus pour les applications à 3 niveaux.

Types de Semiconducteurs discrets
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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Type de produit
Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Fiche technique
167En stock
16825/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Si Through Hole EasyPack1B


Infineon Technologies Modules IGBT 650 V, 400 A 3-level IGBT module
Fiche technique
4En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
Fiche technique
6En stock
2413/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Transistors Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 400 A 3-level IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 6
Mult. : 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 200 A 3-level IGBT module
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 12 Semaines
Min. : 15
Mult. : 15

IGBT Modules Si