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MRFE6VS25GN-960

Name: NXP MRFE6VS25GN-960
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MRFE6VS25GN-960
Price: 1354.49 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-MRFE6VS25GN-960

N° de fab. :

MRFE6VS25GN-960

Fab. :

NXP Semiconductors

Description :

Outils de développement RF MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit

Fiche technique:

MRFE6VS25GN-960 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	NXP
Catégorie du produit:	Outils de développement RF
RoHS:
Produit:	Reference Design Boards
Type:	RF Transistor
L'outil sert à l'évaluation de:	MRFE6VS25N
Fréquence:	960 MHz to 1.215 GHz
Marque:	NXP Semiconductors
Tension d'alimentation de fonctionnement:	50 V
Type de produit:	RF Development Tools
Série:	MRFE6VS25N
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Development Tools
Raccourcis pour l'article N°:	935392203598
Poids de l''unité:	453,592 g

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Fiche technique

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USHTS:: 9030908050
ECCN:: EAR99

MRFE6VS25GN Reference Circuit

NXP Semiconductors MRFE6VS25GN Reference Circuit is designed to allow rapid evaluation and prototyping of the MRFE6VS25 RF Power LDMOS Transistor. The MRFE6VS25 is designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast, and aerospace applications operating at frequencies from 1.8MHz to 2000MHz. These devices are fabricated using NXP’s enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications with high VSWRs.

RF Reference Circuits

NXP Semiconductors RF Reference Circuits are ease of use solutions designed to accelerate prototyping RF applications for faster time to market. These compact reference circuits offer design reuse across frequencies using the same PCB layout, enabling RF designers to quickly generate new power amplifier designs for multiple frequencies.