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IRLHS6242TRPBF

Name: Infineon IRLHS6242TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRLHS6242TRPBF
Price: 0.56 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

942-IRLHS6242TRPBF

N° de fab. :

IRLHS6242TRPBF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC

Fiche technique:

IRLHS6242TRPBF Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,568 €	0,57 €
	0,32 €	3,20 €
	0,239 €	23,90 €
	0,20 €	100,00 €
	0,181 €	181,00 €
	0,163 €	326,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 4000)
	0,145 €	580,00 €
	0,12 €	960,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PQFN 2x2 (DFN2020)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	22 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.1 V
Qg - Charge de grille:	14 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	9.6 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	StrongIRFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	36 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Série:	N-Channel
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	19 ns
Délai d'activation standard:	5.8 ns
Poids de l''unité:	10,430 mg

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SPICE Models

Spice Model - IRLHS6242PBF

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Inductive Wireless Charging Solutions

Infineon Technologies Inductive Wireless Charging Solutions use electromagnetic fields to transfer power from a transmitter to a receiver application. This technology charges batteries without a physical connection, all thanks to a wireless charging power supply. The benefits of wireless charging in applications are not having to plug in a device and no plug compatibility issues. It’s also safer since there is no contact with exposed electrical connectors. Wireless charging is more reliable in harsher environments, like drilling and mining. It also allows for seamless on-the-go charging, whether in the car or in public places. Finally, it eliminates tangled charging cables while charging multiple devices in parallel.

Wireless Charging Solutions

Infineon Wireless Charging Solutions meet today's growing demand for wireless charge applications like smartphones, wearables, notebooks, and low-voltage drive devices. Infineon's highly efficient and cost-effective devices enable state-of-the-art solutions for the transmitter unit for inductive and resonant standards. Infineon devices are ready-to-use for the adapter/charger, fostering time-to-market of full wireless charging solutions. Infineon is a member of the Wireless Power Consortium and the AirFuel Alliance.

Power MOSFETs

Infineon pioneered HEXFET power MOSFET technology, developing and introducing the first hexagonal topology MOSFETs in 1979. These developments were granted a broad patent just four years later, and since that time, most MOSFET manufacturers have licensed the designs and processes to enter this marketplace. IR products exhibit the lowest MOSFET on-resistance available on the market for similar components in their class, enabling power conversion subsystem designs that exhibit unequaled efficiency. IR combines state-of-the-art silicon technology with innovative packaging technology. IR POWIRTAB™, Super-220™, and Super-247™ packages allow up to 20A more current per device in the same footprint than standard packages, increasing power density. Compatible with standard surface-mount soldering techniques, IR's FlipFET® packaging technology offers a 100% silicon-to-footprint ratio with the same performance as a conventional package three times as big, making it the ideal solution for portable devices such as phones or notebook PCs. IR's DirectFET® packaging revolutionizes thermal management in the footprint of a standard SO-8 by drawing heat away from the board through the top of the package. As a result, DirectFET MOSFETs can double the current density while cutting thermal management costs in half in high-current circuits that power next-generation microprocessors.

Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs

Infineon Ultra Compact PQFN HEXFET® Power MOSFETs deliver an ultra-compact, high density and efficient solution for a wide variety of lower power applications including smartphones, tablet PCs, camcorders, digital still cameras, notebook PC, server and network communications equipment.